Memoria EEPROM

Son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas. Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y 1.000.000 de veces. A la derecha puede ver un chip de una memoria EEPROM.

La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba in 1984. Fue presentada en la reunión de aparatos electrónicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzo el primer chip comercial basado en este tipo de memoria. tiene formas muy variadas. Puede ver una en la figura de la izquierda. Comunmente se le llama pen drive.